抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

产品类型

硅材料

抛光液

蓝宝石

抛光液

砷化镓

抛光液

铌酸锂

抛光液

锗抛光液

集成电路多次铜布线抛光液

集成电路阻挡层抛光液

半导体行业

CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

应用领域

1、 光通讯领域，配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品，能达到超精细抛光效果，抛光后连接器端面没有划伤和缺陷，3D指标和反射衰减指标达到国际标准。

2、 硬盘基片的抛光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。

3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛，具有抛光速率高，抛光后易清洗，表面粗糙度低，能够得到总厚偏差（TTV）极小的质量表面。

4、其他领域的应用，如不锈钢、光学玻璃等领域，抛光后能达到良好的抛光效果