在硬化地坪施工过程中，到底要不要用抛光液进行抛光处理呢？

地坪抛光液是一种用来提升硬化地坪亮度的产品，也叫做地坪光亮剂、地坪亮光剂、地坪增亮剂、地坪抛光机等等，生产的浓缩型渗透地坪光亮剂，是采用了源自德国的特种高分子材料，具有抗磨损、防刮伤、防刻划的功能。地坪抛光液用途非常广泛，可用于水泥制品、大理石、水磨石、耐磨骨料等为基础表面抛光，它的特点就是渗入地坪，在干燥的过程中和混凝土粘结在一起，干燥后经过物理抛光，能赋予地坪超亮的光泽的同时，还能提高表面的防水、防尘、抗污保洁和抗磨性能。

光液使用方法编辑

包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光。

1、抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置）；

2、抛光时间：根据产品的状态来定；

3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

化学机械抛光

这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：

（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。