科研实验专用二氧化硅靶材SiO2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

二氧化硅（SiO2）常温下为固体，不溶于水，是酸性氧化物，不跟一般酸反应，但溶于

氢氟酸及热浓磷酸，能和熔融碱类起作用。自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅

两种。结晶二氧化硅因晶体结构不同，分为石英、鳞石英和方石英三种。二氧化硅是制造玻

璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的

原料，是科学研究的重要材料。

二氧化硅（SiO2）溅射靶可用于半导体，化学气相沉积（CVD）和物相沉积（PVD）显示器和光学应用。

二氧化硅（SiO2）的其他形状溅射靶材：圆盘，平板，柱子靶，台阶靶，定制

包装：二氧化硅（SiO2）溅射靶是真空密封的。

产品参数

中文名 二氧化硅 化学式 SiO2 熔点 1650±50℃

分子量 60.084 密度2.2 g/cm3 沸 点 2230℃

纯度 99.99%

支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。