三极管晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种构造方式，但运用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其间，N表明在高纯度硅中参加磷，是指替代一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而p是加入硼替代硅，发生很多空穴利于导电。

在制作三极管时，有意识地使发射区的大都载流子浓度大于基区的，一起基区做得很薄，并且要严格控制杂质含量，这么一旦接通电源后，因为发射结正偏，发射区的大都载流子（电子）及基区的大都载流子（空穴）很容易地跳过发射结相互向对方分散，但因前者的浓度基大于后者，所以经过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。

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